高通发布骁龙835:采用10纳米制程工艺

2016-11-22 11:23:10 作者：王瑞

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近日，高通发布了与三星联合开发的明年上半年的旗舰款处理器骁龙835，此款旗舰款处理器采用三星最先进的10nm制造工艺，支持最新的快充技术Quick Charge 4.0。

据了解，高通发布的旗舰款处理器骁龙835采用了三星 10nm 制程工艺，使得新品的体积将会缩小 30% 以上，同时还能降低 40% 的功耗并提升 27% 的性能。从而提升移动设备的用户体验。

此外，骁龙835支持最新的快充技术Quick Charge 4.0。而新研发出的快充4.0技术可以让手机在 15 分钟内充电超过 50%，比 QC 3.0 充电速度快了 20%，效率提升 30%。为防止产生快充产生的手机过热现象，Quick Charge 4.0也将让手机温度降低高达5摄氏度。

目前骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835处理器的设备将会在2017年上半年陆续出货。

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